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    硅晶振
    • MEMS差分振荡器SiT9102
    • MEMS差分振荡器SiT9121
    • MEMS低功耗振荡器SiT1602B
    • MEMS低功耗振荡器SiT8008
    • MEMS低功耗振荡器SiT8009B
    • MEMS低功耗振荡器SiT8208
    • MEMS低功耗振荡器SiT8209
    • 车载与高温振荡器SiT8918B
    • 车载与高温振荡器SiT8924B
    MEMS差分振荡器SiT9102
    • 特点优势:
    • 1、超宽频率范围
      2、高精度、高稳定性、抗电磁干扰(EMI)、低功耗、低年老化率
      3、具备优良的耐热性及、环境变化适应性
      4、交期快
      3、绿色环保产品,通过RoHS和Pb Free认证
      4、主要应用领域: 10GB以太网、SONET、SATA、SAS、光纤通道等

    MEMS差分振荡器SiT9102主要参数:
    频率范围:1MHz to 220MHz
    体积:5.0 x 3.2 x 0.75 mm,7.0 x 5.0 x 0.90 mm
    工作电压:2.5V,3.3V,2.25V-3.63V
    调整频差:±10ppm to ±30ppm
    工作温度(°C):-20~+70,-40~+85
    输出方式:LVPECL/LVDS
    功耗:61mA
    年老化率:±1ppm/ year
    MEMS差分振荡器SiT9121
    • 特点优势:
    • 1、超宽频率范围
      2、高精度、高稳定性、抗电磁干扰(EMI)、低功耗、低年老化率
      3、具备优良的耐热性及、环境变化适应性
      4、交期快
      3、绿色环保产品,通过RoHS和Pb Free认证
      4、主要应用领域: 信息通讯、网络设备、存储、服务器、SONET、SATA、SAS、PCI-EXPRESS、光纤通道等

    MEMS差分振荡器SiT9121主要参数:
    频率范围:1MHz to 220MHz
    体积:3.2x2.5x0.75mm,5.0x3.2x0.75mm,7.0x5.0x0.90mm
    工作电压:2.5V,3.3V,2.25V-3.63V
    调整频差:±10ppm
    工作温度(°C):-20~+70,-40~+85
    输出方式:LVPECL/LVDS
    功耗:61mA
    年老化率:±1ppm/ year
    MEMS低功耗振荡器SiT1602B
    • 特点优势:
    • 1、超宽频率范围
      2、高精度、高稳定性、抗电磁干扰(EMI)、低功耗、低年老化率
      3、具备优良的耐热性及、环境变化适应性
      4、交期快
      3、绿色环保产品,通过RoHS和Pb Free认证
      4、主要应用领域: DSC、 DVC、 DVR、 IP 监控器、SSD、 GPON、 EPON、SONET、SATA、SAS、电子书、高速光纤通道等

    MEMS低功耗振荡器SiT1602B主要参数:
    频率范围:3.57MHz to 77.76MHz
    体积:2.0x1.6x0.75mm,2.5x2.0x0.75mm ,3.2x2.5x0.75 mm,5.0x3.2x0.75 mm,7.0x5.0x0.90 mm
    工作电压:2.5V,3.3V,2.25V-3.63V
    调整频差:±20ppm
    工作温度(°C):-20~+70,-40~+85
    输出方式:LVCMOS/HCMOS
    功耗:3.5~4.2mA
    年老化率:±1ppm/ year
    MEMS低功耗振荡器SiT8008
    • 特点优势:
    • 1、超宽频率范围
      2、高精度、高稳定性、抗电磁干扰(EMI)、低功耗、低年老化率
      3、具备优良的耐热性及、环境变化适应性
      4、交期快
      3、绿色环保产品,通过RoHS和Pb Free认证
      4、主要应用领域: DSC、 DVC、 DVR、 IP 摄像头、 电子书、 SSD、 USB、 SATA、 SAS、 100M / 1G / 10G 高速网络等

    MEMS低功耗振荡器SiT8008主要参数:
    频率范围:1MHz to 100MHz
    体积:2.0x1.6x0.75mm,2.5x2.0x0.75mm ,3.2x2.5x0.75mm,5.0x3.2x0.75mm,7.0x5.0x0.90 mm
    工作电压:1.8V, 2.5V ,2.8,3.0 or 3.3 V
    调整频差:±20ppm
    工作温度(°C):-20~+70,-40~+85
    输出方式:LVCMOS/HCMOS
    功耗:3.5~3.8mA
    年老化率:±1ppm/ year
    MEMS低功耗振荡器SiT8009B
    • 特点优势:
    • 1、超宽频率范围
      2、高精度、高稳定性、抗电磁干扰(EMI)、低功耗、低年老化率
      3、具备优良的耐热性及、环境变化适应性
      4、交期快
      3、绿色环保产品,通过RoHS和Pb Free认证
      4、主要应用领域: GPON、EPON、 网关、 路由器、服务器、? PCI-E、 DDR等

    MEMS低功耗振荡器SiT8009B主要参数:
    频率范围:115MHz to 137MHz
    体积:2.0x1.6x0.75mm,2.5x2.0x0.75mm ,3.2x2.5x0.75mm,5.0x3.2x0.75mm,7.0x5.0x0.90 mm
    工作电压:1.8V, 2.5V ,2.8,3.0 or 3.3 V
    调整频差:±20ppm
    工作温度(°C):-20~+70,-40~+85
    输出方式:LVCMOS/HCMOS
    功耗:4.9mA
    年老化率:±1ppm/ year
    MEMS低功耗振荡器SiT8208
    • 特点优势:
    • 1、超宽频率范围
      2、高精度、高稳定性、抗电磁干扰(EMI)、低功耗、低年老化率
      3、具备优良的耐热性及、环境变化适应性
      4、交期快
      3、绿色环保产品,通过RoHS和Pb Free认证
      4、主要应用领域:SATA、 SAS、 Ethernet、 PCI Express、 视频设备、 WiFi无线网络、 数据存储、 网络通信、 工业控制等

    MEMS低功耗振荡器SiT8208主要参数:
    频率范围:1MHz to 8MHz
    体积:2.5x2.0x0.75mm ,3.2x2.5x0.75mm,5.0x3.2x0.75mm,7.0x5.0x0.90 mm
    工作电压:1.8V, 2.5V ,2.8 or 3.3 V
    调整频差:±10ppm
    工作温度(°C):-20~+70,-40~+85
    输出方式:LVCMOS/LVTTL
    功耗:31mA
    年老化率:±1ppm/ year
    MEMS低功耗振荡器SiT8209
    • 特点优势:
    • 1、超宽频率范围
      2、高精度、高稳定性、抗电磁干扰(EMI)、低功耗、低年老化率
      3、具备优良的耐热性及、环境变化适应性
      4、交期快
      3、绿色环保产品,通过RoHS和Pb Free认证
      4、主要应用领域:SATA、 SAS、10G网络、 PCI、视频设备、WIFI无线网络、 数据存储、 网络设备、电信、工业控制等

    MEMS低功耗振荡器SiT8209主要参数:
    频率范围:80.000001 to 220 MHz
    体积:2.5x2.0x0.75mm,3.2x2.5x0.75mm,5.0x3.2x0.75mm,7.0x5.0x0.90mm
    工作电压:1.8V, 2.5V ,2.8 or 3.3 V
    调整频差:±10ppm
    工作温度(°C):-20~+70,-40~+85
    输出方式:LVCMOS/LVTTL
    功耗:33mA
    年老化率:±1ppm/ year
    车载与高温振荡器SiT8918B
    • 特点优势:
    • 1、超宽频率范围
      2、高精度、高稳定性、抗电磁干扰(EMI)、低功耗、低年老化率
      3、具备优良的耐热性及、环境变化适应性
      4、交期快
      3、绿色环保产品,通过RoHS和Pb Free认证
      4、主要应用领域: 工业感应器、医疗影像设备、PLC、汽车电子、基站、10GB以太网、SONET、SATA、SAS、光纤通道等

    车载与高温振荡器SiT8918B主要参数:
    频率范围:1MHz to 110MHz
    体积:2.0x1.6x0.75 mm,2.5x2.0x0.75mm ,3.2x2.5x0.75mm,5.0x3.2x0.75mm,7.0x5.0x0.90 mm
    工作电压:1.8V, 2.5V ,2.8,3.0 or 3.3 V
    调整频差:±20ppm
    工作温度(°C):-40~+105,-40~+125
    输出方式:LVCMOS/LVTTL
    功耗:4.5mA
    年老化率:±1ppm/ year
    车载与高温振荡器SiT8924B
    • 特点优势:
    • 1、超宽频率范围
      2、高精度、高稳定性、抗电磁干扰(EMI)、低功耗、低年老化率
      3、具备优良的耐热性及、环境变化适应性
      4、交期快
      3、绿色环保产品,通过RoHS和Pb Free认证
      4、主要应用领域: 汽车电子、汽车影音系统、碰撞检测装置、车内网络设备、抗高温电子设备、总成系统控制板等

    车载与高温振荡器SiT8924B主要参数:
    频率范围:1MHz to 110MHz
    体积:2.0x1.6x0.75mm,2.5x2.0x0.75mm,3.2x2.5x0.75mm,5.0x3.2x0.75mm,7.0x5.0x0.90 mm
    工作电压:1.8V
    调整频差:±20ppm
    工作温度(°C):-40~+85,-40~+105,-40~+125
    输出方式:LVCMOS/LVTTL
    功耗:4.5mA
    年老化率:±1ppm/ year
    0755-23068369
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