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    硅晶振
  
    


    
  
    
    
    
      
      
    
        
    
          
    
                      
    
                  
    
        
    
        
          
    
		 	
            
      
			              
    • MEMS差分振荡器SiT9102
      • 
			              
    • MEMS差分振荡器SiT9121
      • 
			              
    • MEMS低功耗振荡器SiT1602B
      • 
			              
    • MEMS低功耗振荡器SiT8008
      • 
			              
    • MEMS低功耗振荡器SiT8009B
      • 
			              
    • MEMS低功耗振荡器SiT8208
      • 
			              
    • MEMS低功耗振荡器SiT8209
      • 
			              
    • 车载与高温振荡器SiT8918B
      • 
			              
    • 车载与高温振荡器SiT8924B
      • 
			            
     
            
    
			              
    
              	
              	
    
                
                
    
                	
    MEMS差分振荡器SiT9102
    
                	
      
                    	
    • 特点优势:
      • 
                        
    • 1、超宽频率范围
      
2、高精度、高稳定性、抗电磁干扰（EMI）、低功耗、低年老化率
      
3、具备优良的耐热性及、环境变化适应性
      
4、交期快
      
3、绿色环保产品，通过RoHS和Pb Free认证
      
4、主要应用领域： 10GB以太网、SONET、SATA、SAS、光纤通道等
      

      • 
                    
                    
    
                
    
                
                
    
                	
                
    
                
                
    
                                    	
    MEMS差分振荡器SiT9102主要参数:
    
                        
    频率范围:1MHz to 220MHz
    
                        
    体积:5.0 x 3.2 x 0.75 mm,7.0 x 5.0 x 0.90 mm
    
                        
    工作电压:2.5V，3.3V，2.25V-3.63V
    
                        
    调整频差：±10ppm to ±30ppm
    
                        
    工作温度(°C)：-20~+70,-40~+85
    
                        
    输出方式：LVPECL/LVDS
    
                        
    功耗：61mA
    
                        
    年老化率：±1ppm/ year
    
				                                   
                
    
              
    
                            
    
              	
              	
    
                
                
    
                	
    MEMS差分振荡器SiT9121
    
                	
      
                    	
    • 特点优势:
      • 
                        
    • 1、超宽频率范围
      
2、高精度、高稳定性、抗电磁干扰（EMI）、低功耗、低年老化率
      
3、具备优良的耐热性及、环境变化适应性
      
4、交期快
      
3、绿色环保产品，通过RoHS和Pb Free认证
      
4、主要应用领域： 信息通讯、网络设备、存储、服务器、SONET、SATA、SAS、PCI-EXPRESS、光纤通道等
      

      • 
                    
                    
    
                
    
                
                
    
                	
                
    
                
                
    
                                    	
    MEMS差分振荡器SiT9121主要参数:
    
                        
    频率范围:1MHz to 220MHz
    
                        
    体积:3.2x2.5x0.75mm,5.0x3.2x0.75mm,7.0x5.0x0.90mm
    
                        
    工作电压:2.5V，3.3V，2.25V-3.63V
    
                        
    调整频差：±10ppm
    
                        
    工作温度(°C)：-20~+70,-40~+85
    
                        
    输出方式：LVPECL/LVDS
    
                        
    功耗：61mA
    
                        
    年老化率：±1ppm/ year
    
				                                   
                
    
              
    
                            
    
              	
              	
    
                
                
    
                	
    MEMS低功耗振荡器SiT1602B
    
                	
      
                    	
    • 特点优势:
      • 
                        
    • 1、超宽频率范围
      
2、高精度、高稳定性、抗电磁干扰（EMI）、低功耗、低年老化率
      
3、具备优良的耐热性及、环境变化适应性
      
4、交期快
      
3、绿色环保产品，通过RoHS和Pb Free认证
      
4、主要应用领域： DSC、 DVC、 DVR、 IP 监控器、SSD、 GPON、 EPON、SONET、SATA、SAS、电子书、高速光纤通道等
      

      • 
                    
                    
    
                
    
                
                
    
                	
                
    
                
                
    
                                    	
    MEMS低功耗振荡器SiT1602B主要参数:
    
                        
    频率范围:3.57MHz to 77.76MHz
    
                        
    体积:2.0x1.6x0.75mm,2.5x2.0x0.75mm ,3.2x2.5x0.75 mm,5.0x3.2x0.75 mm,7.0x5.0x0.90 mm
    
                        
    工作电压:2.5V，3.3V，2.25V-3.63V
    
                        
    调整频差：±20ppm
    
                        
    工作温度(°C)：-20~+70,-40~+85
    
                        
    输出方式：LVCMOS/HCMOS
    
                        
    功耗：3.5~4.2mA
    
                        
    年老化率：±1ppm/ year
    
				                                   
                
    
              
    
                            
    
              	
              	
    
                
                
    
                	
    MEMS低功耗振荡器SiT8008
    
                	
      
                    	
    • 特点优势:
      • 
                        
    • 1、超宽频率范围
      
2、高精度、高稳定性、抗电磁干扰（EMI）、低功耗、低年老化率
      
3、具备优良的耐热性及、环境变化适应性
      
4、交期快
      
3、绿色环保产品，通过RoHS和Pb Free认证
      
4、主要应用领域： DSC、 DVC、 DVR、 IP 摄像头、 电子书、 SSD、 USB、 SATA、 SAS、 100M / 1G / 10G 高速网络等
      

      • 
                    
                    
    
                
    
                
                
    
                	
                
    
                
                
    
                                    	
    MEMS低功耗振荡器SiT8008主要参数:
    
                        
    频率范围:1MHz to 100MHz
    
                        
    体积:2.0x1.6x0.75mm,2.5x2.0x0.75mm ,3.2x2.5x0.75mm,5.0x3.2x0.75mm,7.0x5.0x0.90 mm
    
                        
    工作电压:1.8V, 2.5V ,2.8,3.0 or 3.3 V
    
                        
    调整频差：±20ppm
    
                        
    工作温度(°C)：-20~+70,-40~+85
    
                        
    输出方式：LVCMOS/HCMOS
    
                        
    功耗：3.5~3.8mA
    
                        
    年老化率：±1ppm/ year
    
				                                   
                
    
              
    
                            
    
              	
              	
    
                
                
    
                	
    MEMS低功耗振荡器SiT8009B
    
                	
      
                    	
    • 特点优势:
      • 
                        
    • 1、超宽频率范围
      
2、高精度、高稳定性、抗电磁干扰（EMI）、低功耗、低年老化率
      
3、具备优良的耐热性及、环境变化适应性
      
4、交期快
      
3、绿色环保产品，通过RoHS和Pb Free认证
      
4、主要应用领域： GPON、EPON、 网关、 路由器、服务器、? PCI-E、 DDR等
      

      • 
                    
                    
    
                
    
                
                
    
                	
                
    
                
                
    
                                    	
    MEMS低功耗振荡器SiT8009B主要参数:
    
                        
    频率范围:115MHz to 137MHz
    
                        
    体积:2.0x1.6x0.75mm,2.5x2.0x0.75mm ,3.2x2.5x0.75mm,5.0x3.2x0.75mm,7.0x5.0x0.90 mm
    
                        
    工作电压:1.8V, 2.5V ,2.8,3.0 or 3.3 V
    
                        
    调整频差：±20ppm
    
                        
    工作温度(°C)：-20~+70,-40~+85
    
                        
    输出方式：LVCMOS/HCMOS
    
                        
    功耗：4.9mA
    
                        
    年老化率：±1ppm/ year
    
				                                   
                
    
              
    
                            
    
              	
              	
    
                
                
    
                	
    MEMS低功耗振荡器SiT8208
    
                	
      
                    	
    • 特点优势:
      • 
                        
    • 1、超宽频率范围
      
2、高精度、高稳定性、抗电磁干扰（EMI）、低功耗、低年老化率
      
3、具备优良的耐热性及、环境变化适应性
      
4、交期快
      
3、绿色环保产品，通过RoHS和Pb Free认证
      
4、主要应用领域：SATA、 SAS、 Ethernet、 PCI Express、 视频设备、 WiFi无线网络、 数据存储、 网络通信、 工业控制等
      

      • 
                    
                    
    
                
    
                
                
    
                	
                
    
                
                
    
                                    	
    MEMS低功耗振荡器SiT8208主要参数:
    
                        
    频率范围:1MHz to 8MHz
    
                        
    体积:2.5x2.0x0.75mm ,3.2x2.5x0.75mm,5.0x3.2x0.75mm,7.0x5.0x0.90 mm
    
                        
    工作电压:1.8V, 2.5V ,2.8 or 3.3 V
    
                        
    调整频差：±10ppm
    
                        
    工作温度(°C)：-20~+70,-40~+85
    
                        
    输出方式：LVCMOS/LVTTL
    
                        
    功耗：31mA
    
                        
    年老化率：±1ppm/ year
    
				                                   
                
    
              
    
                            
    
              	
              	
    
                
                
    
                	
    MEMS低功耗振荡器SiT8209
    
                	
      
                    	
    • 特点优势:
      • 
                        
    • 1、超宽频率范围
      
2、高精度、高稳定性、抗电磁干扰（EMI）、低功耗、低年老化率
      
3、具备优良的耐热性及、环境变化适应性
      
4、交期快
      
3、绿色环保产品，通过RoHS和Pb Free认证
      
4、主要应用领域：SATA、 SAS、10G网络、 PCI、视频设备、WIFI无线网络、 数据存储、 网络设备、电信、工业控制等
      

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    MEMS低功耗振荡器SiT8209主要参数:
    
                        
    频率范围:80.000001 to 220 MHz
    
                        
    体积:2.5x2.0x0.75mm,3.2x2.5x0.75mm,5.0x3.2x0.75mm,7.0x5.0x0.90mm
    
                        
    工作电压:1.8V, 2.5V ,2.8 or 3.3 V
    
                        
    调整频差：±10ppm
    
                        
    工作温度(°C)：-20~+70,-40~+85
    
                        
    输出方式：LVCMOS/LVTTL
    
                        
    功耗：33mA
    
                        
    年老化率：±1ppm/ year
    
				                                   
                
    
              
    
                            
    
              	
              	
    
                
                
    
                	
    车载与高温振荡器SiT8918B
    
                	
      
                    	
    • 特点优势:
      • 
                        
    • 1、超宽频率范围
      
2、高精度、高稳定性、抗电磁干扰（EMI）、低功耗、低年老化率
      
3、具备优良的耐热性及、环境变化适应性
      
4、交期快
      
3、绿色环保产品，通过RoHS和Pb Free认证
      
4、主要应用领域： 工业感应器、医疗影像设备、PLC、汽车电子、基站、10GB以太网、SONET、SATA、SAS、光纤通道等
      

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    车载与高温振荡器SiT8918B主要参数:
    
                        
    频率范围:1MHz to 110MHz
    
                        
    体积:2.0x1.6x0.75 mm,2.5x2.0x0.75mm ,3.2x2.5x0.75mm,5.0x3.2x0.75mm,7.0x5.0x0.90 mm
    
                        
    工作电压:1.8V, 2.5V ,2.8,3.0 or 3.3 V
    
                        
    调整频差：±20ppm
    
                        
    工作温度(°C)：-40~+105,-40~+125
    
                        
    输出方式：LVCMOS/LVTTL
    
                        
    功耗：4.5mA
    
                        
    年老化率：±1ppm/ year
    
				                                   
                
    
              
    
                            
    
              	
              	
    
                
                
    
                	
    车载与高温振荡器SiT8924B
    
                	
      
                    	
    • 特点优势:
      • 
                        
    • 1、超宽频率范围
      
2、高精度、高稳定性、抗电磁干扰（EMI）、低功耗、低年老化率
      
3、具备优良的耐热性及、环境变化适应性
      
4、交期快
      
3、绿色环保产品，通过RoHS和Pb Free认证
      
4、主要应用领域： 汽车电子、汽车影音系统、碰撞检测装置、车内网络设备、抗高温电子设备、总成系统控制板等
      

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    车载与高温振荡器SiT8924B主要参数:
    
                        
    频率范围:1MHz to 110MHz
    
                        
    体积:2.0x1.6x0.75mm,2.5x2.0x0.75mm,3.2x2.5x0.75mm,5.0x3.2x0.75mm,7.0x5.0x0.90 mm
    
                        
    工作电压:1.8V
    
                        
    调整频差：±20ppm
    
                        
    工作温度(°C)：-40~+85,-40~+105,-40~+125
    
                        
    输出方式：LVCMOS/LVTTL
    
                        
    功耗：4.5mA
    
                        
    年老化率：±1ppm/ year
    
				                                   
                
    
              
    
                          
    
          
    
          

 

           
        
    
      
    
    
    
  
    

    










    
					
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