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    硅晶振
    • MEMS差分振蕩器SiT9102
    • MEMS差分振蕩器SiT9121
    • MEMS低功耗振蕩器SiT1602B
    • MEMS低功耗振蕩器SiT8008
    • MEMS低功耗振蕩器SiT8009B
    • MEMS低功耗振蕩器SiT8208
    • MEMS低功耗振蕩器SiT8209
    • 車載與高溫振蕩器SiT8918B
    • 車載與高溫振蕩器SiT8924B
    MEMS差分振蕩器SiT9102
    • 特點優勢:
    • 1、超寬頻率范圍
      2、高精度、高穩定性、抗電磁干擾(EMI)、低功耗、低年老化率
      3、具備優良的耐熱性及、環境變化適應性
      4、交期快
      3、綠色環保產品,通過RoHS和Pb Free認證
      4、主要應用領域: 10GB以太網、SONET、SATA、SAS、光纖通道等

    MEMS差分振蕩器SiT9102主要參數:
    頻率范圍:1MHz to 220MHz
    體積:5.0 x 3.2 x 0.75 mm,7.0 x 5.0 x 0.90 mm
    工作電壓:2.5V,3.3V,2.25V-3.63V
    調整頻差:±10ppm to ±30ppm
    工作溫度(°C):-20~+70,-40~+85
    輸出方式:LVPECL/LVDS
    功耗:61mA
    年老化率:±1ppm/ year
    MEMS差分振蕩器SiT9121
    • 特點優勢:
    • 1、超寬頻率范圍
      2、高精度、高穩定性、抗電磁干擾(EMI)、低功耗、低年老化率
      3、具備優良的耐熱性及、環境變化適應性
      4、交期快
      3、綠色環保產品,通過RoHS和Pb Free認證
      4、主要應用領域: 信息通訊、網絡設備、存儲、服務器、SONET、SATA、SAS、PCI-EXPRESS、光纖通道等

    MEMS差分振蕩器SiT9121主要參數:
    頻率范圍:1MHz to 220MHz
    體積:3.2x2.5x0.75mm,5.0x3.2x0.75mm,7.0x5.0x0.90mm
    工作電壓:2.5V,3.3V,2.25V-3.63V
    調整頻差:±10ppm
    工作溫度(°C):-20~+70,-40~+85
    輸出方式:LVPECL/LVDS
    功耗:61mA
    年老化率:±1ppm/ year
    MEMS低功耗振蕩器SiT1602B
    • 特點優勢:
    • 1、超寬頻率范圍
      2、高精度、高穩定性、抗電磁干擾(EMI)、低功耗、低年老化率
      3、具備優良的耐熱性及、環境變化適應性
      4、交期快
      3、綠色環保產品,通過RoHS和Pb Free認證
      4、主要應用領域: DSC、 DVC、 DVR、 IP 監控器、SSD、 GPON、 EPON、SONET、SATA、SAS、電子書、高速光纖通道等

    MEMS低功耗振蕩器SiT1602B主要參數:
    頻率范圍:3.57MHz to 77.76MHz
    體積:2.0x1.6x0.75mm,2.5x2.0x0.75mm ,3.2x2.5x0.75 mm,5.0x3.2x0.75 mm,7.0x5.0x0.90 mm
    工作電壓:2.5V,3.3V,2.25V-3.63V
    調整頻差:±20ppm
    工作溫度(°C):-20~+70,-40~+85
    輸出方式:LVCMOS/HCMOS
    功耗:3.5~4.2mA
    年老化率:±1ppm/ year
    MEMS低功耗振蕩器SiT8008
    • 特點優勢:
    • 1、超寬頻率范圍
      2、高精度、高穩定性、抗電磁干擾(EMI)、低功耗、低年老化率
      3、具備優良的耐熱性及、環境變化適應性
      4、交期快
      3、綠色環保產品,通過RoHS和Pb Free認證
      4、主要應用領域: DSC、 DVC、 DVR、 IP 攝像頭、 電子書、 SSD、 USB、 SATA、 SAS、 100M / 1G / 10G 高速網絡等

    MEMS低功耗振蕩器SiT8008主要參數:
    頻率范圍:1MHz to 100MHz
    體積:2.0x1.6x0.75mm,2.5x2.0x0.75mm ,3.2x2.5x0.75mm,5.0x3.2x0.75mm,7.0x5.0x0.90 mm
    工作電壓:1.8V, 2.5V ,2.8,3.0 or 3.3 V
    調整頻差:±20ppm
    工作溫度(°C):-20~+70,-40~+85
    輸出方式:LVCMOS/HCMOS
    功耗:3.5~3.8mA
    年老化率:±1ppm/ year
    MEMS低功耗振蕩器SiT8009B
    • 特點優勢:
    • 1、超寬頻率范圍
      2、高精度、高穩定性、抗電磁干擾(EMI)、低功耗、低年老化率
      3、具備優良的耐熱性及、環境變化適應性
      4、交期快
      3、綠色環保產品,通過RoHS和Pb Free認證
      4、主要應用領域: GPON、EPON、 網關、 路由器、服務器、? PCI-E、 DDR等

    MEMS低功耗振蕩器SiT8009B主要參數:
    頻率范圍:115MHz to 137MHz
    體積:2.0x1.6x0.75mm,2.5x2.0x0.75mm ,3.2x2.5x0.75mm,5.0x3.2x0.75mm,7.0x5.0x0.90 mm
    工作電壓:1.8V, 2.5V ,2.8,3.0 or 3.3 V
    調整頻差:±20ppm
    工作溫度(°C):-20~+70,-40~+85
    輸出方式:LVCMOS/HCMOS
    功耗:4.9mA
    年老化率:±1ppm/ year
    MEMS低功耗振蕩器SiT8208
    • 特點優勢:
    • 1、超寬頻率范圍
      2、高精度、高穩定性、抗電磁干擾(EMI)、低功耗、低年老化率
      3、具備優良的耐熱性及、環境變化適應性
      4、交期快
      3、綠色環保產品,通過RoHS和Pb Free認證
      4、主要應用領域:SATA、 SAS、 Ethernet、 PCI Express、 視頻設備、 WiFi無線網絡、 數據存儲、 網絡通信、 工業控制等

    MEMS低功耗振蕩器SiT8208主要參數:
    頻率范圍:1MHz to 8MHz
    體積:2.5x2.0x0.75mm ,3.2x2.5x0.75mm,5.0x3.2x0.75mm,7.0x5.0x0.90 mm
    工作電壓:1.8V, 2.5V ,2.8 or 3.3 V
    調整頻差:±10ppm
    工作溫度(°C):-20~+70,-40~+85
    輸出方式:LVCMOS/LVTTL
    功耗:31mA
    年老化率:±1ppm/ year
    MEMS低功耗振蕩器SiT8209
    • 特點優勢:
    • 1、超寬頻率范圍
      2、高精度、高穩定性、抗電磁干擾(EMI)、低功耗、低年老化率
      3、具備優良的耐熱性及、環境變化適應性
      4、交期快
      3、綠色環保產品,通過RoHS和Pb Free認證
      4、主要應用領域:SATA、 SAS、10G網絡、 PCI、視頻設備、WIFI無線網絡、 數據存儲、 網絡設備、電信、工業控制等

    MEMS低功耗振蕩器SiT8209主要參數:
    頻率范圍:80.000001 to 220 MHz
    體積:2.5x2.0x0.75mm,3.2x2.5x0.75mm,5.0x3.2x0.75mm,7.0x5.0x0.90mm
    工作電壓:1.8V, 2.5V ,2.8 or 3.3 V
    調整頻差:±10ppm
    工作溫度(°C):-20~+70,-40~+85
    輸出方式:LVCMOS/LVTTL
    功耗:33mA
    年老化率:±1ppm/ year
    車載與高溫振蕩器SiT8918B
    • 特點優勢:
    • 1、超寬頻率范圍
      2、高精度、高穩定性、抗電磁干擾(EMI)、低功耗、低年老化率
      3、具備優良的耐熱性及、環境變化適應性
      4、交期快
      3、綠色環保產品,通過RoHS和Pb Free認證
      4、主要應用領域: 工業感應器、醫療影像設備、PLC、汽車電子、基站、10GB以太網、SONET、SATA、SAS、光纖通道等

    車載與高溫振蕩器SiT8918B主要參數:
    頻率范圍:1MHz to 110MHz
    體積:2.0x1.6x0.75 mm,2.5x2.0x0.75mm ,3.2x2.5x0.75mm,5.0x3.2x0.75mm,7.0x5.0x0.90 mm
    工作電壓:1.8V, 2.5V ,2.8,3.0 or 3.3 V
    調整頻差:±20ppm
    工作溫度(°C):-40~+105,-40~+125
    輸出方式:LVCMOS/LVTTL
    功耗:4.5mA
    年老化率:±1ppm/ year
    車載與高溫振蕩器SiT8924B
    • 特點優勢:
    • 1、超寬頻率范圍
      2、高精度、高穩定性、抗電磁干擾(EMI)、低功耗、低年老化率
      3、具備優良的耐熱性及、環境變化適應性
      4、交期快
      3、綠色環保產品,通過RoHS和Pb Free認證
      4、主要應用領域: 汽車電子、汽車影音系統、碰撞檢測裝置、車內網絡設備、抗高溫電子設備、總成系統控制板等

    車載與高溫振蕩器SiT8924B主要參數:
    頻率范圍:1MHz to 110MHz
    體積:2.0x1.6x0.75mm,2.5x2.0x0.75mm,3.2x2.5x0.75mm,5.0x3.2x0.75mm,7.0x5.0x0.90 mm
    工作電壓:1.8V
    調整頻差:±20ppm
    工作溫度(°C):-40~+85,-40~+105,-40~+125
    輸出方式:LVCMOS/LVTTL
    功耗:4.5mA
    年老化率:±1ppm/ year
    0755-23068369
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