• <sub id="uhzwv"></sub>

    <sub id="uhzwv"></sub>
  • <dd id="uhzwv"></dd><wbr id="uhzwv"></wbr>
    <dd id="uhzwv"><address id="uhzwv"></address></dd>
    你對晶振的激勵功率了解有多少?

    晶振的激勵功率:指的是已經內設的晶振耗損功率數值。

    英文:Drive Level

    輸入激勵功率的大小直接影響著晶振本身的性能,所以電路設計者一定要嚴格按照要求,在晶振規定的激勵功率內,輸入其所需功率,以便充分保障晶振的正常工作。

    激勵功率一般以微瓦(Micro Watt)為單位。近年來,隨著晶振生產工藝與技術的快速提升,以及電子產品對晶振在小型化與低功耗方面的更高要求,具備較高激勵功率的晶振在一些小型電子產品應用領域開始逐漸趨于邊緣化。

     

    電路提供的激勵功率過大可能會導致晶振以下不良隱患:

    1、石英晶片振幅變大,因此過多的熱量產生導致石英晶片振動區域的溫度升高。石英晶片本身則產生梯度性溫度攀升,直接破壞頻率穩定度。

    2、由于晶片機械性變形程度可能會超出彈性極限,造成晶格不可恢復性的位移,造成晶振輸出頻率永久性頻偏。更嚴重的情況下,石英晶片振碎,導致晶振徹底不起振(停振),也就是我們所說的“晶振死了”。

    3、造成等效電阻變大(注:一般晶振電阻值為10~100Ω),影響晶振起振,嚴重情況下造成晶振停振。

    4、導致固著晶片與基座的導電膠受損,比如斷裂,后果是造成晶振內部電路斷路、晶振停振。

    5、導致Q值下降,電阻溫度特性和頻率溫度特性變得不規則,導致不良后果是晶振頻率不穩定。

    6、導致寄生發生變化,導致晶振跳頻,無法提供標配頻率。

    7、加快晶振在性能方面老化性衰減,導致晶振精確度不穩定。

     

    提供的激勵功率過小可能給晶振帶來的不良隱患:

    1、晶振不易起振或停振,失去提供頻率信號的功能。

    2、影響晶振工作的穩定性,無法保證輸出穩定的精準頻率信號,造成IC捕捉信號失效。

     

    因此,在晶振的使用中,一定要注意以下兩點:

    1、根據應用領域的不同,選擇合適激勵功率的晶振;

    2、切不可只為了改變晶振的輸出頻率,任意改變電路輸入給晶振的激勵功率的大小。

    了解更多關于晶振頻率問題解決方案,請點擊本網站以下鏈接:

     

    0755-23068369
    一分钟快3网址 一分快3 uu快3 网盟彩神IV 百姓购彩大厅在线购彩 彩神v在线登录