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    糾正無源晶振Crystal負載電容CL的理解誤區

    糾正無源晶振Crystal負載電容CL的理解誤區

    (晶諾威科技無源晶振SMD1612主要參數)

    在無源晶振的實際電路應用中,我們不可避免的會遇到電容匹配問題。電容匹配不好,會直接導致晶振起振延遲、頻偏等問題,導致電路板上電后系統可能無法正常啟動。

    那么電容匹配到底指的是什么?該如何正確匹配?

    首先,負載電容CL不等于外接電容。

    負載電容CL指的是晶振的一個內部重要電氣參數。

    一般情況下,對功耗不太敏感的電子設備PCBA上,常見的晶振負載電容為12PF、15PF、18PF、20PF。

    晶振的外接電容是指在PCBA板上分別與晶振頻率輸入腳與輸出腳串聯的電子元件。外接電容值的大小由晶振負載電容與電路板雜散電容(包括IC電容在內)所決定,通常為這兩者之和。

    外接電容計算公式

    糾正無源晶振Crystal負載電容CL的理解誤區

    注:
    1、 CL: 石英晶體諧振器的負載電容。
    2、CS: 指雜散電容,包括IC內部的雜散容值、電路板布線間的電容量、PCB板各層之間的寄生電容等。
    3、C1 和 C2:分別指無源晶振的兩顆外接電容。

     

    舉例:

    假如我們采用的為無源晶振 24MHZ,電路板雜散電容一般估算為4~6PF(理論參考值)。

    根據公式:

    負載電容CL為20PF時,外接電容C1或C2(等值)大約分別為:27~33PF

    外接電容的作用

    針對晶振頻率進行微調,使其盡量靠近目標頻率。一般情況下,增大外接電容會使振蕩頻率下降,而減小外接電容會使振蕩頻率升高。通過計算你會發現外接電容改變1pF,晶振頻率可以改變幾百Hz。

    外接電容可以起到對振蕩電路的穩定作用,因此這也是建議外接電容為同值的原因。

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