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    無源晶振電容計算公式?

    在無源晶振使用中,首先是選對晶振封裝尺寸及規格參數。封裝尺寸是由電路板給晶振預留空間所決定,另外還有焊盤數量及尺寸。

    關于晶振的主要規格參數,一般指的是晶振的頻率精度與負載電容。電子設備具備什么功直接決定著對晶振精度的選擇,比如藍牙、WIFI功能,頻率精度至少為±10PPM,而定位功能若要實現高精準化,晶振的精度越高越好,有高要求的方案采用精度在±0.2PPM以上的溫補有源晶振(TCXO)。

    一談及電容計算,顯然指的就是無源晶振。在晶振選型已經確定及晶振品質合格的條件下,晶振外接電容選值就是面臨的首要問題。晶振選型的確認,意味著晶振的負載電容已經固定。負載電容越大,意味著功耗越大。反之,晶振的負載越小,則功耗越小。因此,小負載晶振是便攜式低功耗數碼電子產品之首選。

    以下為無源晶振電容計算公式

    無源晶振電容計算公式?

    注:
    1、CL:無源晶振負載電容。
    2、CS:指雜散電容,包括IC內部的雜散容值、電路板布線間的電容量、PCB板各層之間的寄生電容等。
    3、C1和C2指無源晶振頻率輸出腳與輸入腳的外接電容。

     

    以上無源晶振電容計算公式僅作為理論上的參考使用?;跓o源晶振在實際振蕩電路應用中受到電路設計及雜散電容等多方面影響,建議上電測試晶振實際輸出頻率,為晶振選擇最佳電容,這樣才能確保晶振輸出頻率的精度。

     

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